ஒரு IGBT என்பது அடிப்படையில் இரண்டு டிரான்சிஸ்டர்கள் - ஒரு PNP BJT மற்றும் ஒரு MOSFET - இந்த ஏற்பாட்டில்: மின்னழுத்தம் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனமான MOSFET ஆல் இயக்க மற்றும் அணைக்கப்படுவதால், IGBT மின்னழுத்தம் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது.
IGBT ஏன் மின்னழுத்த கட்டுப்பாட்டு சாதனம்?
IGBT ஒரு மின்னழுத்த-கட்டுப்படுத்தப்பட்ட சாதனம் என்பதால், BJT போலல்லாமல், சாதனத்தின் வழியாக கடத்தலைப் பராமரிக்க, கேட் மீது ஒரு சிறிய மின்னழுத்தம் தேவைப்படுகிறது.
மோஸ்ஃபெட் ஏன் மின்னழுத்த கட்டுப்பாட்டு சாதனம்?
MOSFET என்பது FET போன்ற மின்னழுத்தக் கட்டுப்பாட்டு சாதனமாகும். ஒரு கேட் மின்னழுத்த உள்ளீடு மின்னோட்டத்தை வெளியேற்றுவதற்கான மூலத்தைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. MOSFET வாயில் கசிவைத் தவிர, தொடர்ச்சியான மின்னோட்டத்தை ஈர்க்காது. இருப்பினும், கேட் கொள்ளளவை சார்ஜ் செய்ய கணிசமான தொடக்க மின்னோட்ட எழுச்சி தேவைப்படுகிறது.
IGBT ஐ எவ்வாறு பயன்படுத்துவது?
MOSFET இன் எளிய கேட்-டிரைவ் பண்புகளை இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களின் உயர் மின்னோட்டம் மற்றும் குறைந்த செறிவு-மின்னழுத்தத்துடன் இணைக்க IGBT பயன்படுத்தப்படுகிறது. IGBT ஆனது சுவிட்ச்-மோட் பவர் சப்ளைகளில் (SMPS) பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது இழுவை மோட்டார் கட்டுப்பாடு மற்றும் தூண்டல் வெப்பமாக்கலில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது இன்வெர்ட்டர்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
IGBT எப்படி வேலை செய்கிறது?
இது ஆன் நிலையில் பவர் ஓட்டத்தை அனுமதிக்கவும், ஆஃப் நிலையில் இருக்கும்போது மின் ஓட்டத்தை நிறுத்தவும் பயன்படும் சுவிட்ச் ஆகும். ஒரு IGBT ஒரு குறைக்கடத்தி கூறுக்கு மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் செயல்படுகிறது, எனவே அதன் பண்புகளை மின் பாதையைத் தடுக்க அல்லது உருவாக்குகிறது.
IGBTயில் எத்தனை வகைகள் உள்ளன?
IGBT வகைகள். காப்பிடப்பட்ட கேட் பைபோலார் ஜங்ஷன் டிரான்சிஸ்டர் (ஐஜிபிடிகள்) பொதுவாக இரண்டு வகைகளாக வகைப்படுத்தப்படுகின்றன.
IGBT ரெக்டிஃபையர் என்றால் என்ன?
IGBT என்பது இன்சுலேட்டட் கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டரைக் குறிக்கிறது. IGBTகள் சுவிட்சாகப் பயன்படுத்தப்படும் மூன்று முனைய மின்னணு சாதனங்கள். கட்டமைப்பு BJT மற்றும் MOSFET இரண்டையும் ஒத்திருக்கிறது. … IGBT ரெக்டிஃபையர்கள் உயர் மின்னோட்டத் திறன் திருத்தி (AC-DC கன்வெர்ட்டர்) ஐஜிபிடி சுவிட்சைக் கொண்டு வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது.
நாம் ஏன் Mosfet ஐப் பயன்படுத்துகிறோம்?
MOSFET என்பது ஒரு உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர் ஆகும். … இது ஒரு குறைக்கடத்தி சாதனமாகும், இது மின்னணு சாதனங்களில் மின்னணு சமிக்ஞைகளை மாற்றுவதற்கும் பெருக்குவதற்கும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இவை வெவ்வேறு துருவங்களுக்கு இடையே மின் சமிக்ஞைகளை மாற்ற அல்லது உள்ளீட்டு மின்னழுத்தத்தை பெருக்க அல்லது குறைக்க பயன்படுகிறது.
Mosfet இன் நன்மைகள் என்ன?
குறைந்த மின்னழுத்தத்தில் செயல்படும் போது MOSFETகள் அதிக செயல்திறனை வழங்குகின்றன. கேட் மின்னோட்டம் இல்லாததால் அதிக உள்ளீடு மின்மறுப்பு அதிக மாறுதல் வேகத்தை உருவாக்குகிறது. அவை குறைந்த சக்தியில் இயங்குகின்றன மற்றும் மின்னோட்டத்தை எடுக்காது.
வெல்டிங்கில் IGBT என்றால் என்ன?
IGBT என்பது இன்சுலேட் கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டரைக் குறிக்கிறது. இது ஒரு குறைக்கடத்தி சாதனம். இது மிகவும் திறமையானது மற்றும் வேகமாக மாறுவதற்கு அறியப்படுகிறது.
IGBT ஒருமுனையா அல்லது இருமுனையா?
IGBT ஒரு யூனிபோலார் அல்லது இருமுனை சாதனமா? – Quora. IGBT ஒரு யூனிபோலார் அல்லது இருமுனை சாதனமா? இருமுனை சாதனம் ஏனெனில் ஓட்டைகள் மற்றும் எலக்ட்ரான்கள் இரண்டும் கடத்தலுக்கு பங்களிக்கின்றன.
IGBTயின் மாறுதல் அதிர்வெண் என்ன?
சில வழக்கமான IGBT பயன்பாடுகளில் இயக்க அதிர்வெண் <20 kHz மற்றும் ஷார்ட் சர்க்யூட்/இன்-ரஷ் வரம்பு பாதுகாப்பு தேவைப்படும் மோட்டார் கட்டுப்பாடு அடங்கும்; நிலையான சுமை மற்றும் பொதுவாக குறைந்த அதிர்வெண் கொண்ட தடையில்லா மின்சாரம்; வெல்டிங், அதிக சராசரி மின்னோட்டம் மற்றும் குறைந்த அதிர்வெண் (< 50 kHz) தேவைப்படுகிறது; பூஜ்ஜிய மின்னழுத்தம்-…
அதிக அதிர்வெண் பயன்பாட்டிற்கு ஏன் Mosfet பயன்படுத்தப்படுகிறது?
இந்த இன்வெர்ட்டர் அப்ளிகேஷன்களுக்கு MOSFETகள் சரியான பொருத்தம், ஏனெனில் அவை அதிக மாறுதல் அதிர்வெண்களில் செயல்பட முடியும். இது ரேடியோ-அதிர்வெண் குறுக்கீட்டை (RFI) குறைக்கிறது, ஏனெனில் மாறுதல் அதிர்வெண் மின்னோட்ட கூறு இன்வெர்ட்டர் மற்றும் அவுட்புட்-ஃபில்டருக்குள் சுற்றுகிறது, இதன் மூலம் வெளியில் உள்ள ஓட்டத்தை நீக்குகிறது.
மோஸ்ஃபெட்டை கண்டுபிடித்தவர் யார்?
மொஹமட் அடல்லா (இடது) 1950 களின் பிற்பகுதியில் MOSFET ஐ முதலில் முன்மொழிந்தார். நவம்பர் 1959 இல் டாவோன் காங் (வலது) உடன் அடல்லா முதல் MOSFET ஐக் கண்டுபிடித்தார்.
Mosfet மின்சாரம் என்றால் என்ன?
ஒரு சக்தி MOSFET என்பது ஒரு சிறப்பு வகை உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி புல விளைவு டிரான்சிஸ்டர் ஆகும். இது உயர்மட்ட அதிகாரங்களைக் கையாளும் வகையில் சிறப்பாக வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது. பவர் MOSFETகள் V கட்டமைப்பில் கட்டமைக்கப்பட்டுள்ளன. எனவே, இது V-MOSFET, VFET என்றும் அழைக்கப்படுகிறது.
மோஸ்ஃபெட்டின் மாறுதல் அதிர்வெண் என்ன?
ஸ்விட்ச் பவர் சப்ளையில் பல்ஸ் அகல மாடுலேஷன் செயல்பாட்டின் போது DC மின்னழுத்தம் ஆன் மற்றும் ஆஃப் செய்யப்படும் விகிதம். இன்வெர்ட்டர் அல்லது கன்வெர்ட்டரில் உள்ள மாறுதல் அதிர்வெண் என்பது ஸ்விட்ச் சாதனம் ஆன் மற்றும் ஆஃப் செய்யப்படும் வீதமாகும். வழக்கமான அதிர்வெண்கள் சில KHz முதல் சில மெகாஹெர்ட்ஸ் (20Khz-2MHz) வரை இருக்கும்.